碲化铋靶材(1304-82-1)

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CAS NO:
1304-82-1
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99.99%
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基本信息

  • 碲化铋(III)
  • 1304-82-1
  • 碲化铋
  • Bi2Te3
  • 800.76
  • Bismuth telluride
  • 215-135-2
  • 7.642 g/mL at 25oC(lit.)
  • bismuthtelluride,undoped
  • 573oC
  • 1172 °C

详细信息

长期提供各种靶材,用于磁控溅射工艺制备 铜铟镓硒(CIGS薄膜碲化镉(CdTe薄膜) 各种化合物溅射靶材

(联系人:冉松林,电话:13541048799,邮箱:semisales@163.comQQ122686839

一,四元合金靶材:CIGS 靶材 

1,常规原子比:1:0.7:0.3:2或者 1:0.8:0.2:2(客户亦可根据自身工艺制订原子比例)

技术对接:CVD合成四元合金(高精分析天平称量,各种元素的配比公差低于百万分之一)--氮气保护下研磨制粉–HP(热压)--检验—打磨,抛光。 

2,检验:ICP-MS;XRD 

通过ICP-MS 检测杂质含量:5N的CIGS 靶材的杂质元素总和小于10ppm. 

通过XRD衍射:CIGS 具备闪锌黄铜矿结构。(可提供检验报告(见下)和样品)。 

3,靶材致密度:大于93%。 

4,服务:可免费提供导电玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客户后的硒化工艺,因为磁控溅射CIGS的过程中有硒的流失。 

5,安全防护措施:提供MSDS及溅射过程中的必要防护。 

二,三硒化二铟(In2Se3)靶材;三硒化二镓(Ga2Se3)靶材,硒化亚铜(Cu2Se),或者硒化铜(CuSe)靶材 

技术对接:CVD 合成二元合金–HP(热压)--检验—打磨,抛光。

三,铜镓(CuGa);铜铟(CuIn);铜镓铟(CuGaIn)靶材 

*配方原子比例:客户可自选,我方亦可以提供常规原子比例。

四,铜(Cu)靶;铟(In)靶,硒(Se)靶 

技术对接:浇铸 

五,CIGS 配套靶材 

N型:硫化镉(CDS)靶,硫化锌(ZnS)靶,硒化锌(ZnSe)靶。 

氧化锌铝(AZO)靶,钼(Mo)靶 

1,由于硫化镉有毒,所以硫化锌,硒化锌靶为其替代品。试验表明硒化铟也有此属性。 

2,硫化镉,硫化锌,硒化锌制备工艺:CVD 高纯氩气携带金属蒸汽(镉,锌蒸汽)进入反应室与过量的H2S,H2Se 气体气相沉积而成。

六,碲化镉(CdTe)靶材;硫化镉(CdS)靶材;

 高致密,高纯度

碲化物靶材:碲化铋(Bi2Te3)靶材;碲化锑(Sb2Te3)靶材;碲化锌(ZnTe)靶材;碲化铜(CuTe)靶材;碲化铅(PbTe)靶材;碲化铟(InTe)靶材;碲化镉(CdTe)靶材等

硒化物靶材:硒化铋(Bi2Se3)靶材;硒化铜(CuSe)靶材;硒化铅(PbSe)靶材等

锑化物靶材:锑化铟(InSb)靶材;锑化镉(CdSb)靶材;锑化锌(Zn4Sb3)靶材等

硫化物靶材:硫化锌(ZnS)靶材;硫化铟(In2S3)靶材;硫化镉(CdS)靶材;硫化铋(Bi2S3)靶材等

氧化物靶材:氧化锌(ZnO)靶材;氧化镓(Ga2O3)靶材;氧化铟(In2O3)靶材等

氮化物靶材:氮化铟(InN)靶材;氮化镓(GaN)靶材

公司信息

成都中建材光电材料有限公司

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