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钛蚀刻剂
钛蚀刻剂是应用于半导体制作和薄膜微电子技术的选择性控制蚀刻剂。
钛蚀刻剂TFT是设计用来蚀刻通常在微电子产品中作为连结层和阻挡层的蒸发法薄膜的蚀刻剂。这种蚀刻剂光刻胶匹配性良好、分辨率高、边下蚀现象低。
钛蚀刻剂TFTN用来蚀刻玻璃或SiO2基板上的Ti沉积膜。TFTN并不含有氢氟酸。
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性质 |
TFT |
TFTN |
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外观 |
澄清水溶液 |
澄清水溶液 |
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PH |
1 |
1 |
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闪点 |
不可燃 |
不可燃 |
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贮存 |
室温 |
室温 |
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有效期 |
1年 |
1年 |
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毒性 |
强酸 |
强酸 |
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操作 |
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蚀刻容器 |
聚乙烯/聚丙烯 |
聚乙烯/聚丙烯 |
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温度 |
20～50℃ |
70～85℃ |
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蚀刻速率 |
25 ?/秒，20℃ 50 ?/秒，30℃ |
10 ?/秒，70℃ 50 ?/秒，80℃ |
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冲洗 |
水 |
水 |
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*匹配光刻胶 |
阴性和阳性 |
阴性和阳性 |
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金属 |
—— |
除Al以外的大多数金属 |
*KPR/KMER/KTFR：PKP(Transene)；AZ/RISTON/ETC.
