基本信息
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氧化铟
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1312-43-2
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Indium (III) oxide; Diindium trioxide
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In2O3
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277.64
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Indium (III) oxide
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215-193-9
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7.18
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Indium (III) oxide
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13°(55°F)
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2000oC
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850oC
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1、急性毒性：大鼠口经LD：>10gm/kg 小鼠引入腹膜LDLo：5gm/kg 小鼠口经LDLo：10gm/kg
详细信息
5N-6N 三氧化二铟(In2O3)
1，纯度：5N(99.999%)6N（99.9999%）
2，物理性质：
N型透明半导体功能
分子式：In2O3
分子量：277.6342
外观：淡黄色粉末
3，技术对接：铟阳极- 电解–真空熔炼（除去低熔点的铅，砷，镉，磷，汞，硫，硒等）
-提拉法提纯至6N的铟--电弧法加热6N的铟锭，使铟瞬间气化并与过量的高纯氧气反应，化学气相沉积而成—冷却—收尘；
4，检验：GDMS（6N:所有杂质元素总和低于1ppm），SEM（扫描电镜）；
5，粒度：-100目；
6，优势：不含任何酸根离子，如：氯离子，硫酸根离子等;
7，应用：红外光纤、气体传感器；
8，包装：瓶装：1公斤/瓶，瓶外加铝复合薄膜真空包装；
9，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施，提供材料应用的解决方案。
10.经济价值：年销售额200万元左右，主要市场为军品红外光纤。
