基本信息
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氧化铟
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1312-43-2
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Indium (III) oxide; Diindium trioxide
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In2O3
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277.64
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Indium (III) oxide
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215-193-9
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7.18
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Indium (III) oxide
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13°(55°F)
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2000oC
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850oC
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1、急性毒性：大鼠口经LD：>10gm/kg 小鼠引入腹膜LDLo：5gm/kg 小鼠口经LDLo：10gm/kg
详细信息
高纯氧化铟，三氧化二铟（In2O3）99.99% -99.999%
1，技术对接：气相沉积CVD—采用高频加热，高纯氩气携带铟蒸气进入反应室与过量的氧气O2，气相沉积而成。
2，纯度：99.999%or 5N。
3，检验：XRD
注：所有的杂质元素（包括过渡元素，稀土元素）都低于1ppm
4，包装：三层真空包装。
5，用途：主要用于红外光纤；透明电极和电子元件材料。
6，服务：提供MSDS 及其防护措施，免费样品。
7，交期：7-10天/10Kgs。
