Xn
1.硅粉与铬粉混合后，于900～1100℃的氢气中焙烧，冷却后即可。或者将铬粉和硅粉的混合物与二氧化硅粉和硅粉的混合物混合均匀，于氢气流中焙烧，SiO2及Si粉形成的挥发性SiO同原料中的Na、K逸出，得到CrSi2。
2.铬与硅粉在真空中或在氢气保护下共熔或烧结可得到Cr3Si（立方晶体）熔点约1710℃，Cr5Si3(四方晶体，熔点约1600℃),CrSi（立方晶体，熔点约1600℃），CrSi2及Cr3Si2。
3.48.1份粒度为１100μｍ的铬粉与51.9份粒度为50μｍ的硅粉混合，另外将3份粒度为10μｍ的ＳｉＯ２粉与1.5份硅粉混合。两种混合物再混匀。1100℃氢气流中焙烧1h，再在1430℃烧10min，ＳｉＯ２及Ｓｉ粉形成的挥发性ＳｉＯ同原料中的Ｎａ、Ｋ一起逸出，得到ＣｒＳｉ２烧结体，粉细，含Ｎａ仅
0.5×10-6，Ｋ0.1×10-6。
用作陶瓷材料、高电阻薄膜材料。
密封于阴凉干燥处。
遵照规格使用和储存则不会分解。
硅化铬薄膜电阻率高，电阻温度系数小。灰色立方晶体，六方晶系，a=04422nm，c=06351nm，熔点接近于1550℃，晶体内的键连形式类似于Cr3Si，有金属光泽，不溶于盐酸、王水。
硅化铬薄膜电阻率高，电阻温度系数小。
1. 性状：灰色立方晶体，六方晶系。
2. 密度（g/mL,25/4℃）：5.5
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：无可用
4. 熔点（ºC）：1475
5. 沸点（ºC,常压）：无可用
6. 沸点（ºC,5.2kPa）： 无可用
7. 折射率： 无可用
8. 闪点（ºC）： 无可用
9. 比旋光度（º）：无可用
10. 自燃点或引燃温度（ºC）：无可用
11. 蒸气压（kPa,25ºC）：无可用
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：无可用
13. 燃烧热（KJ/mol）：无可用
14. 临界温度（ºC）：无可用
15. 临界压力（KPa）：无可用
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：无可用
17. 爆炸上限（%,V/V）：无可用
18. 爆炸下限（%,V/V）： 无可用
19. 溶解性：不溶于水，溶于盐酸、氢氟酸。
通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。
1、摩尔折射率：无可用
2、 摩尔体积（cm3/mol）： 无可用
3、 等张比容（90.2K）：无可用
4、 表面张力（dyne/cm）：无可用
1、 疏水参数计算参考值（XlogP）：无可用
2、 氢键供体数量：0
3、 氢键受体数量：2
4、 可旋转化学键数量：0
5、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：0
6、 重原子数量：3
7、 表面电荷：0
8、 复杂度：8
9、 同位素原子数量：0
10、 确定原子立构中心数量：0
11、 不确定原子立构中心数量：0
12、 确定化学键立构中心数量：0
13、 不确定化学键立构中心数量：0
14、 共价键单元数量：2
