1.一般先制成碳化钼粉末(采用钼与碳直接化合法、金属氧化物与碳的还原一化合法、气相沉积法和自蔓延高温合成法)，然后在真空或还原气氛下在碳管炉、钼丝炉、高频真空炉中进行烧结(多采用反应烧结、热压烧结和热等静压烧结)而制成。
2.将钼粉与炭黑充分混合后，经球磨机研磨，加压成型。在氢气气流中，于1350～1500℃煅烧，再将煅烧物冷却、粉碎、研磨即可制得产品。或者用三氧化钼或二氧化钼代替钼粉的还原法。
3.下图为碳化用感应加热炉。
图VI-3 碳化用感应加热炉
1—石棉保护板；2—感应线圈；3—硅线石；4—石墨盖；5—有孔石墨盖；6—石墨坩埚
辅助金属浴法。以钴为辅助金属，选用Mo∶Co按1∶（1～1.5）的比例组成金属浴，在纯石墨坩埚中用塔曼炉在氢气流中加热至1800℃，冷却后（1h内升温到1800℃，在1800℃保持2～3h，冷至室温需要2h），将凝固在坩埚内的产物粉碎，用温盐酸处理，将钴溶解除去，即得到粒度为150～350μm的粉末状Mo2C,纯度为：含结合碳5.82%～5.85%（质量）游离碳0.26%～0.32%（质量），总碳量6.08%～6.17%（质量）。
4.由金属钼的碳化制取。将三氧化钼MoO3加氢还原而得到钼粉。再把钼粉和炭黑的混合物［Mo934%(质量)C6.6%（质量）］，用球磨机进行约10h干混，在1t/cm2左右的压力下加压成型。将该加压成型的料块放进石墨盘或坩埚里，在氢气流（使用露点为-35℃左右的纯氢）中，用塔曼炉或感应加热炉（见图）加热至1400～1500℃，在此温度下保持约1h。使钼碳化生成Mo2C。
5.采用合成方法。首先将钼粉按Mo93.4%（质量分数）与炭黑［含V6.6%（质量分数）］充分混合后，经球磨机研磨1h，加压成型，放入感应炉内。在氢气气流中，于1350～1500℃下煅烧1h，再将煅烧物冷却、粉碎、研磨即可制得产品。也可用三氧化钼或二氧化钼代替钼粉进行还原，制得碳化钼。
1.可制造无铬的特殊合金及工程陶瓷等。用作超硬工具材料、耐磨材料、发热体材料以及高温结构材料；用于生产耐磨薄膜及半导体薄膜；还是生产碳化钼的原料。
2.用于生产耐磨薄膜及半导体薄膜。也可作生产碳化钼的原料。可作制造无铬的特殊合金及工程陶瓷等。
常温密闭，阴凉通风干燥
常温常压下稳定
避免的物料 酸 。具有六方晶系结构，a=0.30029nm，c=0.472895nm。微维氏硬度（负荷50g）1950kg/mm2（比WC的2080kg/mm2软一些）熔点2687℃。
1. 性状：是一种含碳5.89%（理论结合量）银灰色金属状粉末。六方柱状晶体。
2. 密度（g/mL,25℃）：9.18
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：2690
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC，1mmHg）：未确定
7. 折射率：未确定
8. 闪点（ºC）：未确定
9. 比旋光度（º）：未确定
10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定
11. 蒸气压（20ºC）：未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 临界温度（ºC）：未确定
15. 临界压力（KPa）：未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定
19. 溶解性：未确定
20.晶格常数：a＝0.4733nm，b＝0.60344nm，c＝0.52056nm
21.热膨胀系数（K）：7.8×10-6
22.显微硬度（kg/mm2）：1500
23.弹性模量（N/mm2）：5.33×105
24.生成热（kJ/mo）：-49l
25.比热容（J/（mol·K））：30.3
26.电阻率（μΩ·cm）：71
通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境
1、摩尔折射率：无可用的
2、摩尔体积（cm3/mol）：无可用的
3、等张比容（90.2K）：无可用的
4、表面张力（dyne/cm）：无可用的
5、介电常数：无可用的
6、极化率（10-24cm3）：无可用的
7、单一同位素质量：207.810814 Da
8、标称质量：208 Da
9、平均质量：203.8907 Da
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:3
8.表面电荷:0
9.复杂度:0
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:3
