在一个由两区间构成的石英安瓿中进行反应，该安瓿置于具有极大温度梯度的炉子中加热。按化学计量称取极细钇粉和磷，分别置于两区间中，加热使磷蒸气与钇粉完全反应直至磷从区间中消失为止。在磷区间中加入少量(毫克级)氢化铀，通过该氢化物的热分解在安瓿中产生少量H2分压，增加反应速度。如此直接合成的产物是不均匀的，只适合于作为单晶生长的起始物质。要获得单相物质，必须经过长时间和精细的退火过程。包括在保护气(稀有气体)或真空下研磨、粒化和加热。适用于固态物理研究的高纯度单相粉末样品最好在保护气下研磨精心挑选的单晶来制备。
1.性状：立方晶系，高纯度半导体。
2.密度（g/cm3）：4.4 。
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:2
8.表面电荷:0
9.复杂度:10
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
