锗酸铋

  • 基本信息
  • 制备方法及用途
  • 物化性质
  • 毒理性
  • 结构与计算化学

锗酸铋 基本信息

中文名称:
锗酸铋 
中文别名:
锗酸铋;
锗酸铋, PURATRONIC|R, 99.9995% (METALS BASIS);
锗酸铋, PURATRONIC, 99.9995% (METALS BASIS) 
英文名称:
Bismuth germanate
英文别名:
Bismuth germanium oxide (Bi4Ge3O12);
bismuth,germanium,dodecahydrate;
Tetrabismuth triacontagermanium dodecaoxide;
EINECS 235-457-7;
Bismuth germanium oxide 
CAS No.:
12233-56-6
分 子 式:
Bi4Ge3O12
分 子 量:
1245.68
精确分子量:
1252.65000
PSA:
157.80000
MDL:
MFCD00064629
EINECS:
235-457-7
分子结构式:
SDS:
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锗酸铋 制备方法及用途

制备方法

用提拉法从熔体中生长。使用纯度为99.999%的Bi203和GeO2粉料,按照6:1的比例配料。充分搅拌混合后放入铂金坩埚内,在熔料炉内熔化,然后再移入生长炉内进行生长。籽晶的取向影响晶体生长的外形,即使是同一取向的籽晶,其外形也会因为生长条件的变化或杂质的影响而不同。

合成制备方法

 用提拉法从熔体中生长。使用纯度为99.999%的Bi203和GeO2粉料,按照6:1的比例配料。充分搅拌混合后放入铂金坩埚内,在熔料炉内熔化,然后再移入生长炉内进行生长。籽晶的取向影响晶体生长的外形,即使是同一取向的籽晶,其外形也会因为生长条件的变化或杂质的影响而不同。

用途简介

用作电光或光电导材料,也用于制作延迟线、超音频声学器件。

用途

    用作电光或光电导材料,也用于制作延迟线、超音频声学器件。

锗酸铋 物化性质

熔点:
1061 °C
沸点:
100ºC at 760mmHg
存储条件/存储方法:

常温密闭避光,通风干燥处

稳定性相关:

常温常压下稳定

避免的物料 氧化物
其它信息:

1.       性状:白色粉末

2.       密度(g/mL,20℃):7.135

3.       相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定

4.       熔点(ºC):935

5.       沸点(ºC,常压):未确定

6.       沸点(ºC,1mmHg):未确定

7.       折射率:未确定

8.       闪点(ºC):未确定

9.       比旋光度(º):未确定

10.    自燃点或引燃温度(ºC):未确定

11.    蒸气压(20ºC):未确定

12.    饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定

13.    燃烧热(KJ/mol):未确定

14.    临界温度(ºC):未确定

15.    临界压力(KPa):未确定

16.    油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定

17.    爆炸上限(%,V/V):未确定

18.    爆炸下限(%,V/V):未确定

19.    溶解性:不溶于水

锗酸铋 毒理性

毒理学数据:

主要的刺激性影响:

在皮肤上面:刺激皮肤和粘膜

在眼睛上面:刺激的影响

致敏作用:没有已知的敏化现象

生态数据:

通常对水是不危害的,若无政府许可,勿将材料排入周围环境。

锗酸铋 分子结构与计算化学数据

分子结构数据

1、摩尔折射率:无可用的

2、摩尔体积(cm3/mol):无可用的

3、等张比容(90.2K):无可用的

4、表面张力(dyne/cm):无可用的

5、介电常数:无可用的

6、极化率(10-24cm3):无可用的

7、单一同位素质量:1249.624109 Da

8、标称质量:1250 Da

9、平均质量:1245.8344 Da

计算化学数据

1.疏水参数计算参考值(XlogP):无

2.氢键供体数量:12

3.氢键受体数量:12

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积12

7.重原子数量:19

8.表面电荷:0

9.复杂度:0

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:19

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