CF4
1.由碳与氟反应，或一氧化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲烷与氟化氢反应，或四氯化碳与氟化银反应，或四氯化碳与氟化氢反应，都能生成四氟化碳。四氯化碳与氟化氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，最后经精馏而得成品。
2.预先称取5～10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应，反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，将其通过装有氢氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟化硅，随后通过硅胶和五氧化二磷干燥塔得到最终产品。
3.以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。
1.用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。
2.是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，四氟甲烷高纯气及四氟甲烷高纯气、高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
3.用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。[14]
常温常压下稳定，避免强氧化剂、易燃或可燃物。不燃气体，遇高热后容器内压增大，有开裂、爆炸危险。化学性质稳定，不燃。常温下只有液氨-金属钠试剂能发生作用。
1.性状：无色无味气体[1]
2.熔点（℃）：-183.6[2]
3.沸点（℃）：-127.8[3]
4.相对密度（水=1）：1.96（-184℃）[4]
5.相对蒸气密度（空气=1）：3.04[5]
6.饱和蒸气压（kPa）：13.33（-150.7℃）[6]
7.临界温度（℃）：-45.5[7]
8.临界压力（MPa）：3.74[8]
9.辛醇/水分配系数：1.18[9]
10.溶解性：不溶于水，溶于苯和氯仿。[10]
11.临界密度（g·cm-3）：0.626
12.临界体积（cm3·mol-1）：141
13.临界压缩因子：0.279
14.van der Waals面积（cm2·mol-1）：4.600×109
15.van der Waals体积（cm3·mol-1）：27.330
16.Lennard-Jones参数（A）：4.5306
17.Lennard-Jones参数（K）：158.90
18.气相标准声称热(焓)( kJ·mol-1) ：-933.5
19.气相标准熵(J·mol-1·K-1) ：261.40
20.气相标准生成自由能( kJ·mol-1)：-888.8
21.气相标准热熔(J·mol-1·K-1)：61.05
1.急性毒性 暂无资料
2.刺激性 暂无资料
3.其他[11] LCLo：895000ppm（大鼠吸入，15min）
1.生态毒性 暂无资料
2.生物降解性 暂无资料
3.非生物降解性 暂无资料
4.其他有害作用[12] 温室气体，其造成温室效应的作用是二氧化碳的数千倍。氟代烃的低层大气中比较稳定，而在上层大气中可被能量更大的紫外线分解。
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第一部分：化学品名称 |
1、摩尔折射率：7.3
2、摩尔体积（cm3/mol）：66.8
3、等张比容（90.2K）：105.0
4、表面张力（dyne/cm）：6.0
5、介电常数：无可用
6、偶极距（10-24cm3）：无可用
7、极化率：2.89
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:1.8
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:4
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:5
8.表面电荷:0
9.复杂度:19.1
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
