对Tl—Se体系的研究表明可生成下列化合物：Tl2Se3，Tl2Se，TlSe。在密闭管中，将组分元素的单质混合，加热至约400℃可制备此类化合物。
常温密闭避光，通风干燥
常温常压下稳定
避免的物料： 氧化物 酸。不溶于水和醋酸，溶于其他酸类。Tl2Se半导体薄膜能用于整流器部件中。硒化铊(Ⅰ)具有四面体的结构，在晶胞中有十个分子(a0＝0.854nm，c0＝1.271nm)。熔融的Tl2Se是半导体。在Tl—Se体系相应于Tl2Se的组成时电导率极小。在该组成处绝对温差电势率能改变它的符号。用电子散射模型可解释这些结果。
1. 性状：灰色小叶瓣晶体
2. 密度（g/mL,25/4℃）：9.05
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：340
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC,5.2kPa）： 未确定
7. 折射率： 未确定
8. 闪点（ºC）： 未确定
9. 比旋光度（º）： 未确定
10. 自燃点或引燃温度（ºC）： 未确定
11. 蒸气压（kPa,25ºC）： 未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）： 未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 临界温度（ºC）： 未确定
15. 临界压力（KPa）： 未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值： 未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）： 未确定
19. 溶解性：未确定
对水体是极其危害的，即使小量产品不能接触地下水，水道或污水系统，未经政府许可勿将材料排入周围环境。
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:3
8.表面电荷:0
9.复杂度:2.8
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:3