按照反应的化学计量比称取反应物钇和锑，在保护气下于冷舟中或钨坩埚中加热反应混合物。反应剧烈，这个过程通常适用于小于50g的批量生产。
立方晶系，高纯度半导体。密度＝5.97g/ cm3，熔点＝2310℃。
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:2
8.表面电荷:3
9.复杂度:0
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:2
