制备金刚石薄膜常用的方法是气相沉积法，该方法可分以下３种类型。
（１）热化学气相沉积（ＴＣＶＤ）法 在高温下使含碳气相组分发生热分解即形成金刚石薄膜。这一方法在早期的制备过程中是比较成功的方法，目前采用很多的热丝法（ＥＦＣＶＤ）以及对于沉积速率有着独特优越性的热化学焰法均属于此类。
（２）物理化学气相沉积法 用物理化学方法促进ＣＶＤ过程，例如等离子增强ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ或ＰＡＣＶＤ）、微波等离子体ＣＶＤ（ＭＷＣＶＤ）、射频等离子体ＣＶＤ（ＲＦＰＥＣＶＤ）和直流等离子体ＣＶＤ（ＤＣＰＥＣＶＤ）及电子增强ＣＶＤ（ＥＡＣＶＤ）等。
（３）物理气相沉积法 即用物理方法（蒸发、溅射、离子束等）直接从碳源获取碳原子或碳离子，将含碳气体转变为气态活性碳原子，定向沉积在物体表面并沉积生成一层致密、均匀、光滑的碳碳原子键结构的固态晶体膜。这类工艺的关键技术是利用高能离子在基材表面的微区内形成７５０００℃和压强１２×１０９Ｐａ的热尖峰，其持续时间为１０－２１ｓ，从而促进金刚石膜的形成。沉积工艺需在高能态、高真空条件下，严格控制电磁场能量，精确掌握含碳化合物的原材料配比和浓度，以及反应沉积速率。
用于金属、塑料、玻璃等材料表面生成金刚石膜。如半导体及半导体器件热沉电阻、电绝缘层。
产品应贮存放在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。
金刚石晶体膜是一种人工合成的新型功能材料，它由金刚石微晶体构成，具有高硬度、低摩擦、高热导率（为铜的５倍）、低膨胀系数、良好抗热冲击性能、良好抗腐蚀性、极高电绝缘强度、宽波段高透过率和高电子折射率等多项复合性能。
本品无毒。
1. 性状：粉末
2. 密度（g/mL at 25°C）：3.5
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：未确定
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC,0.1mmHg）：未确定
7. 折射率（n20/D）：未确定
8. 闪点（ºC）：未确定
9. 比旋光度（º）：未确定
10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定
11. 蒸气压（mmHg,20ºC）：未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,-164ºC）：未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 临界温度（ºC）：未确定
15. 临界压力（MPa）：未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定
19. 溶解性：未确定
1、 疏水参数计算参考值（XlogP）：-1.1
2、 氢键供体数量：0
3、 氢键受体数量：2
4、 可旋转化学键数量：0
5、 互变异构体数量：
6、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.1
7、 重原子数量：2
8、 表面电荷：0
9、 复杂度：0
10、 同位素原子数量：0
11、 确定原子立构中心数量：0
12、 不确定原子立构中心数量：0
13、 确定化学键立构中心数量：0
14、 不确定化学键立构中心数量：0
15、 共价键单元数量：1
