| 中文名称: | 硅单晶 |
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| 英文名称: | monocrystallinesilicon |
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| EINECS号: | |
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| 分 子 量: | |
| 密 度: | |
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| 风险术语: | |
| 分子结构: |
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性质:原子距2.252×10-10m。熔点1410℃。相对密度2.336。晶格常数5.42×10-10m。整个晶体的原子排列是有规则、有周期性的,其结构方向一致,性脆易裂。莫氏硬度7.0。沸点2477℃。
再经检测、称量,制得硅单晶成品。(1)坩埚直拉法拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、硅多晶和籽晶进行清洁处理。(2)悬浮区熔法先将设各和原料清洁处理,把硅多晶切断,磨后用丙酮去油,进行化学清洗,用无离子水洗至中性,再经超声波清洗,红外干燥,配料和掺杂,装炉,抽真空或充氩气。。预热、引晶、放肩、等径、收尾等过程,由人工控制。工业生产有坩埚直拉法、悬浮区熔法、中子嬗变掺杂法。在氩气下高频加热进行区熔提纯单晶。将硅多晶破碎除去石墨,经丙酮去油后,进行化学清洗,用无离子水洗至中性,再经超声波清洗,红外干燥,配料及掺杂,加入弹晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化,在流通的氩气氛下,人工引晶放肩和收尾。晶体的等径生长过程中,需根据情况适当调节功率,使其获得直径均匀的产品,经检测、称量,制得硅单晶成品。安全性注意防震、防潮。箱外应标有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标志。运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震防潮措施。。产品用聚苯烯(泡沫)逐锭包装,装入适宜的包装箱内,并装满填充物,防止松动防损坏晶体。贮存在阴凉、干燥、清洁的库房内。