美国Transene川思蚀刻剂国内总代理，有需要请电话联系17753210416，QQ：3302581098
薄 膜 蚀 刻 剂
说明
薄膜蚀刻剂在光刻法制微电子线路中用于选择蚀刻金膜、镍膜、铬膜和镍铬膜。这种蚀刻剂和光刻技术联合使用可以在铝基板上所敷的薄膜上制出电极和电阻图案。薄膜蚀刻剂是安全、无毒的溶液，可以在室温下进行操作。本蚀刻剂与阳性和阴性光刻材料都有很好的匹配性，能够很好刻出细线图。
薄膜蚀刻过程
用蒸发法或阴极溅镀法在铝基板上涂制一层薄膜。薄膜的厚度要很好适应线路参数的要求。典型数据如下：
|
元件 |
阴极溅镀过程 |
蒸发 |
|
铬电阻 |
-------------------------------------- |
200-1000? |
|
镍铬电阻 |
200 ? |
200 ? |
|
镍导线 |
1500 ? |
5-50μ英寸 |
|
金导线 |
5000 ? |
50-150μ英寸 |
|
|
金膜通常用电镀法镀制 镍膜可以用化学镀制 |
|
在整体金属化薄膜上显示出光刻图案。先选择蚀刻金膜，而后蚀刻镍膜得到导体元件。去除光刻胶，再绘制一个新的光刻图以蚀制电阻元件。通过蚀刻铬或镍铬层得到电阻元件。通过合适的绘制光刻图案和选择蚀刻程序可以得到带有导电终端的电阻值高达100K的电阻元件。光刻胶的选择和蚀刻过程细节已作个别说明。
薄膜蚀刻剂的性质
|
蚀刻剂 |
蚀刻速度/速率/秒 |
蚀刻能力GM/Gal |
|
金?TFA |
28 ? (25℃) |
100 |
|
镍?TFB |
30 ? (25℃) |
270 |
|
化学镀镍?TFG |
50 ? (40℃) |
--- |
|
镍铬?TFC* |
30 ? (25℃) |
168 |
|
镍铬?TFN |
50 ? (40℃) |
--- |
|
铬?TFD |
20 ? (40℃) |
145 |
|
铬?1020 |
40 ? (40℃) |
--- |
*要首先用1％硫酸水溶液，而后用净水冲洗。
说明
薄膜蚀刻剂?TFA型、TFB型、TFC型、TFD型
在微电子学中使用的电阻板通常有三种金属化薄膜：金导体膜、镍导体膜和铬或镍铬电阻膜。通过电镀、蒸发、阴极溅镀或化学镀的方法将这些膜镀制到三氧化二铝（Al2O3）陶瓷片上。薄膜厚度依金属化技术和应用的不同而变化。在涂上适当光刻胶并绘制好图案之后，用选择蚀刻电阻板膜的方法制出微型线路。对蚀刻剂的要求是其要具备在控制速度下的高选择蚀刻性并要与光刻胶有良好匹配性。而Transene公司的薄膜蚀刻剂正好能满足这种质量要求，非常适于应用。
金属化基板（电阻板）
|
金 |
金 |
|
镍 |
镍 |
|
镍铬 |
镍铬 |
|
氧化铝 |
氧化铝 |
薄膜厚度
|
薄 膜 |
阴极溅镀过程 |
蒸发过程 |
|
镍铬电阻 |
200 ? |
200 ? |
|
铬电阻 |
-- |
200 ?-1000 ? |
|
镍导体 |
1500 ? |
5–50英寸 |
|
金导体 |
5000 ? |
50–150英寸 |
