1．高纯三氟乙酰氟是半导体行业等离子刻蚀工艺中一种重要的刻蚀气体，主要用作介质刻蚀。
与传统的CF4/O2 和C2F6/ O2相对比CF3COF/ O2可以获得更高的F/C比。理论上，通过调节O2的浓度来调节F/C比，以达到最佳的刻蚀效果。其关键在于·CF3与O2有如下的反应:
CF3COF + plasma → ·CF3 +CO + F (1)
CF3· + O2 → CF3OO· (2)
CF3OO· + CF3OO· → CF3O· + O2 (3)
CF3O· → F + COF2 (4)
COF2 + plasma → CO + 2F (5)
CF3· + CF3· → CF3CF3 (6)
反应(3)与反应(6)是竞争反应，如果O2含量低，反应(6)起主导，则F原子的收率就要下降。
三氟乙酰氟具有刻蚀速率快、高深宽比、高选择性的优点，可以实现近乎垂直的刻蚀加工，为制造小体积、大容量的3D NAND闪存提供了可能；同时三氟乙酰氟环境友好，GWP < 1，大气寿命6.9天，温室效应很低，是当前兼具优异刻蚀性能和环保性能的含氟电子刻蚀气之一。
2．随着全球气候变化问题日益凸显，越来越多的国家提出了无碳未来的愿景。2023年，欧盟委员会和欧盟议会达成协议，到2050年，HFCs（氢氟烃）的消费将逐步被完全淘汰。根据欧盟委员会分配的生产权，HFCs的生产将在2036年之前逐步降至最低，达到15%。针对小型家用和热泵设备方面，从2027年开始，欧盟将开始全面禁止使用GWP值大于150的HFCs的小型（<12 kW）单体式热泵设备和空调，并在2032年实现完全淘汰。另外，根据今年美国环保署（EPA）的最新提案，从2025年开始，所有常见的较高GWP值的HFCs制冷剂，包括HFC-134a、HFC-404A、HFC-410A等，在大多数的空调中都将被禁用。因此，开发GWP更低、稳定、安全的制冷剂仍是制冷行业亟需解决的问题。
三氟乙酰氟可与其他组分混合，组成一种低GWP值的制冷剂，使得组合物的GWP≤150，从而满足碳减排、碳中和的相关要求。
