产品简介：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，高纯合金，超低温冷却，晶体管基极以及锗，硅单晶的掺杂剂，铟封，ITO，核辐射安全监控，电接触元件，焊料等。
产品概述
99.99%铟锭，铟珠，铟颗粒，铟粉末
技术对接：电解 – 熔炼（除去低熔点的铅，砷，镉，磷，汞，硫，硒等）
检验：ICP-MS；GDMS。
服务：提供实用的防护措施，提供材料应用解决方案。
技术参数
1、物理性质：
原子量：114.818
电负性：1.78
密度：7.31 g/cm3 （20℃）（0-100℃）
熔点：156.5985 ℃
沸点：2072 ℃
2、规格：
化学纯度：
高纯铟：In-05 纯度99.999%以上，银，铝，砷，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硫，硅，锡，铊，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯铟：In-06 纯度99.9999%以上，镉，铜，铁，镁，铅，硫，硅，锡杂质总含量小于1ppm；
超高纯铟：In-07 纯度99.99999%以上，银，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm；
3、物理性状：棒，锭，片，粒，丸。
4、用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，高纯合金，超低温冷却，晶体管基极以及锗，硅单晶的掺杂剂，铟封，ITO，核辐射安全监控，电接触元件，焊料等。
5、包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。
