二硫化锗（GeS2)
1,物理性质：
白色粉末，正交晶系结构
密度：2.19g/cm3
熔点：800℃。
2，合成工艺：1mol高纯的锗与2mol高纯硫在高温高压下真空熔炼，后续处理后再进行区熔；
3，纯度：5N(99.999%)
3，检测：ICP-MS（所有的杂质元素低于10ppm),XRD(无一硫化锗的杂相）;
4, 包装：三层真空包装或充氩气保护；
5，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
6，应用：固体电解质，荧光等。
四川六族半导体材料有限公司的成立，源于30多年来的技术沉淀，公司主要生产、研发元素周期表第六族的半导体材料（含卤素族）、真空镀膜材料、化合物靶材等。原公司始于90年代，经过多年的研发、生产、沉淀，掌握了 60 多种自主材料的核心技术，部分技术具有唯一性。六族提供的不仅仅是材料，而是材料的应用解决方案。
公司拥有材料工程师12名，技术专家2名，核心团队有近30年行业经验。并与四川大学，昆明理工大学等高校建立了战略合作关系，旨在材料分析，基础材料理论，晶体生长，半导体材料制备，应用等专业领域，为公司研发提供扎实的理论基础和技术支持。
公司经过多年攻关，掌握了多项材料合成的核心技术：1）新型锂电池核心材料硫化锂的制备；2）声光器件二氧化碲晶体材料的制备；3）中红外锑化铟单晶的制备；4）红外硫系玻璃核心材料无氧硒的制备；5）钙钛矿电池专用的碘化物，溴化物制备等等。
