多晶砷化铟（InAs）
原子量：189.74
银灰色固体，闪锌矿结构。
熔点：942 ℃
禁带宽度：0.45 eV
密度：5.56 g/cm3（固）
晶格常数：0.605nm
纯度：4N（99.99%）5N（99.999%）6N（99.9999%）
物理性状：块或粉。
用途：主要用作光导，用于制作InAs单晶及蒸镀材料。InAs单晶可制作霍尔器件，磁阻器件，光纤用激光器，探测器，光，电，磁的传感器。
包装：聚乙烯瓶封装。
四川六族半导体材料有限公司的成立，源于30多年来的技术沉淀，公司主要生产、研发元素周期表第六族的半导体材料（含卤素族）、真空镀膜材料、化合物靶材等。原公司始于90年代，经过多年的研发、生产、沉淀，掌握了 60 多种自主材料的核心技术，部分技术具有唯一性。六族提供的不仅仅是材料，而是材料的应用解决方案。
公司拥有材料工程师12名，技术专家2名，核心团队有近30年行业经验。并与四川大学，昆明理工大学等高校建立了战略合作关系，旨在材料分析，基础材料理论，晶体生长，半导体材料制备，应用等专业领域，为公司研发提供扎实的理论基础和技术支持。
公司经过多年攻关，掌握了多项材料合成的核心技术：1）新型锂电池核心材料硫化锂的制备；2）声光器件二氧化碲晶体材料的制备；3）中红外锑化铟单晶的制备；4）红外硫系玻璃核心材料无氧硒的制备；5）钙钛矿电池专用的碘化物，溴化物制备等等。
