| 质量等级 | 包装(采购量区间) | 价格 | 库存 |
|---|---|---|---|
| 99.9999% | 1kg | 100.00元 | 100 |
| 99.9999% | 200kg | 80.00元 | 100 |
| 99.9999% | 300kg | 70.00元 | 100 |
| 99.9999% | 400kg | 65.00元 | 100 |
| 99.9999% | 500kg | 面议 | 充足 |
多晶砷化铟（InAs）
原子量：189.74
银灰色固体，闪锌矿结构。
熔点：942 ℃
禁带宽度：0.45 eV
密度：5.56 g/cm3（固）
晶格常数：0.605nm
纯度：4N（99.99%）5N（99.999%）6N（99.9999%）
物理性状：块或粉。
用途：主要用作光导，用于制作InAs单晶及蒸镀材料。InAs单晶可制作霍尔器件，磁阻器件，光纤用激光器，探测器，光，电，磁的传感器。
包装：聚乙烯瓶封装。
