基本信息
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氯化亚铟
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13465-10-6
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氯化亚铟;氯化亚铟, PURATRONIC|R, 99.999% (METALS BASIS);氯化亚铟, 无水, 99.995% (METALS BASIS);氯化亚铟(I), 无水;氯化亚铟(I), 无水, 99.995% (METALS BASIS);氯化亚铟, PURATRONIC, 99.999% (METALS BASIS);氯化亚铟(I), 无水, 99.99%;单氯化铟
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ClIn
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150.27
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Indium chloride (InCl)
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236-693-3
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4.19
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Indiummonochloride; Indium(1+) chloride; Indium(I) chloride
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608°C
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225oC
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608oC
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1、急性毒性：主要的刺激性影响：在皮肤上面：在皮肤和粘膜上造成腐蚀性影响，刺激皮肤和粘膜；在眼睛上面：强烈的腐蚀性影响，刺激的影响；没有已知的敏化影响。
详细信息
一：物理特性： 1,熔点 : 225 ℃;2,沸点 : 608 ℃;3,密度 : 4.19 g/mL ;4,闪点 : 608℃;5,规格 : 粉末6,特性 :易水解；7,纯度：99.999% 二：生产方法： 反应在20×0.8cm的厚壁硼硅酸玻璃管中进行。将反应管的一端封闭，在离封闭端约6cm处接出一根1.0cm的小封闭支管。将铟1.3g(稍过量于0.01mol)及氯化汞1.4g(0.005mol)放入反应管中。抽真空至1.3～2Pa的压力，然后封闭。在马弗炉中加热至325℃ 30min。将反应管从炉中取出，注意一边倾斜，一边使游离的汞流入小的封闭支管中，与熔融的一氯化铟分离。为了彻底除汞，进一步将反应管的一氯化铟的部分在350℃加热约2h。其间，流入了汞的小封闭管保持在室温下。收量是定量的。因为初的反应非常激烈，不作适当处理，而只顾增加反应量是危险的。 2.使过剩的金属铟与相应的三氯化铟在加热下进行反应，产物经真空蒸馏，即得一氯化铟。 三：储运方法： 常温密封 通风干燥 严禁受潮
公司简介
我们一直专注于高纯金属，半导体化合物的生产。
高纯金属，半导体化合物：4N - 7N 高纯碲（Te），镉(Cd)，硫(S)，铟(In)，硒(Se)，镓(Ga)，锑(Sb)，锡(Sn)，铅(Pb)，锗(Ge)，铜(Cu)，锌(Zn)等高纯单质； 4N -7N 碲系，硫系，硒系,化合物及铜铟镓硒（CIGS）材料和靶材； 碲化镉CdTe, 碲化铅PbTe, 碲化铜CuTe，碲化锗GeTe； 碲化锌ZnTe，三碲化二铋Bi2Te3，二氧化碲TeO2； 硫化镉CdS，硫化铅PbS，三硫化二镓Ga2S3，硫化锗GeS，硫化锌ZnS； 硫化锡SnS，三硫化二铟In2S3； 硒化镉CdSe，三硒化二镓Ga2Se3，硒化铜CuSe，三硒化二铟In2Se3； 硒化铅PbSe，硒化锗GeSe，硒化锌ZnSe，硒化铋Bi2Se3； 铜铟镓硒（CIGS）材料；
靶材：碲化镉靶，硫化镉靶，氧化锌靶，氧化锌铝靶，铜铟镓硒靶，三硒化二铟靶，硒化铜靶材。
公司现有的工艺有：
1，电解装置4套：回收电解铜，电解铅锌矿的阳极泥；高纯铟的电解，特别是除去里面的杂质锡。
2, 真空蒸馏装置12套：根据杂质的饱和蒸气压的不同，采用真空蒸馏的方法将其去除。
3，区域熔炼炉10套。
4，单间提拉炉12套。
5，CVD 化学气相沉积设备3套。
6，PVD装置。
7，真空熔炼设备。
8，THM 移动式加热设备。
公司现有的检测设备：
1，ICP-MS;ICP-OES (适用范围：检测<99.999% 纯度的产品）。
2，XRD （适用范围：化合物的相图）。
3，激光粒度分析仪（适用范围：粉末粒径）。
4，对于99.9999%以上的产品，提供GDMS 外检指标。
