电子级二氯二氢硅的性状：
    1.二氯二氢硅在室温和大气压力下是一种高可燃、具腐蚀性的有毒气体。蒸气压：101.33kPa(8.2℃)，167.18kPa(20.0℃)303.98kPa(40℃)，526.89kPa(60℃)。在21.1℃和101.3kPa下气体密度4.228kg/m³。21.1℃和101.3kPa下气体相对密度(空气＝1)3.48。21.1℃和101.3kPa下气体比容0.239m³/kg。液体密度：1235kg/m³(21.1℃)，1188kg/m³(40.6℃)，1175kg/m³(46.1℃)，1166kg/m³(50℃)。沸点8.2℃，熔点-122.0℃。临界温度176.0℃，临界压力4676kPa，临界密度463kg/m³。8.2℃下蒸发潜热269.64kJ/kg，25℃和101.3kPa下气体比热容c_p0·6143kJ/(kg·K)。在水中发生反应。在空气中的可燃限4.1%～98.8%(体积)；自燃温度58℃。与水或水汽接触迅速水解产生硅、硅氧烷和盐酸。与空气和氧化剂混合形成可燃混合气。在空气中能点燃，其蒸气比空气重得多。在低压钢瓶中，在其自身蒸气压(21.1℃，62.7kPa)下以液体状态运输。与眼睛、皮肤和黏膜接触会导致严重烧伤。
    2.TLV-TWA：未定，可采用氯化氢的TWA值，即5×10^-6(ACGIH)。

用途：

电子级二氯二氢硅的用途：
    二氯二氢硅主要用于电子工业中多晶硅外延生长以及化学汽相淀积二氧化硅和氮化硅。它是一种性能极佳的外延淀积材料。它的硅含量(重量比)比三氯氢硅和四氯化硅的高。二氯二氢硅淀积硅更有效，且淀积温度比其他氯硅烷低。采用二氯二氢硅在降低温度下淀积厚层所需时间大大低于采用硅烷所需时间。由于二氯二氢硅的淀积速率与采用其他氯硅烷相比对温度敏感性小，所以可以采用调节氢气流中二氯二氢硅浓度的方法来控制淀积速率。由于它在室温下是气体，所以不存在像四氯化硅由鼓泡所带来的不准确性和机械问题。进入4Mb DRAM生产高峰期，MOS外延片倾向于使用二氯二氢硅气体。