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金蚀刻剂
(用于微型电子线路)
金蚀刻剂用于选择蚀刻金和阴，阳性光刻胶都有良好匹配性。用在膜电子产品中制作线路元件。
金蚀刻速率与温度的关系
特点
·蚀刻易于控制，边下蚀低，蚀刻线精细
·室温操作
·蚀刻速率均匀
·价钱低廉
金蚀刻剂TFA
高纯度，低钠含量，0.2微米级过滤，用于微型电子产品，蚀刻金和镍
金蚀刻剂TFAC
用于砷化镓其他金属间化合物及半导体的选择蚀刻。
金蚀刻剂GE-8148
用于镍膜结的选择蚀刻，蚀刻速率高。
金蚀刻剂GE-8110
用镍膜结的控制速率蚀刻
金蚀刻剂GE-8111
低PH、低蚀刻速率与镍匹配性良好
金蚀刻剂TFA/GE-8148
说明
金薄膜蚀刻剂在光刻法制作微电子线路中用以选择蚀刻金。和光刻技术相结合这些蚀刻剂可在氧化铝或其他基板上的薄膜上制作精密电极和电阻图案。其纯度高钠含量低，0.2微米过滤，可用于半导体和微型电子产品。
金蚀刻剂TFA，不含氰化物，用于制作标准产品
金蚀刻剂GE-8148，不含氰化物，不浸蚀镍膜
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TFA |
GE-8148 |
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操作温度 |
室温 |
室温 |
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通风 |
建议用通风橱 |
建议用通风橱 |
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搅拌 |
搅拌可加快蚀刻速率 |
搅拌可加快蚀刻速率 |
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罐 |
玻璃 |
玻璃 |
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蚀刻速率，25℃ |
28 ? /秒 |
50 ? /秒 |
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组成 |
液体中含KI-I2络合物 |
液体中含KI-I2络合磷酸盐化合物 |
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PH（20℃） |
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8.15±0.2 |
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密度（20℃） |
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1.265±0.01 |
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蚀刻能力（g/加仑） |
100 |
100 |
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光刻胶相匹配性 |
阴，阳光刻胶 |
阴，阳光刻胶 |
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冲洗 |
蒸溜水，去离子水 |
蒸溜水，去离子水 |
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废液处理 |
按国家有关规定处理 |
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杂质最大含量 |
(ppm) |
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钠（Na） |
40 |
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氯和溴（CL） |
100 |
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铅(Pb) |
5 |
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铁(Fe) |
3 |
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硫(作为硫酸盐) |
50 |
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磷(作为磷酸盐) |
10 |
