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薄膜蚀刻使用指导
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膜 |
TRANSENE公司蚀刻剂 |
蚀刻速率 |
光刻胶 |
应用 |
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Al |
标准铝 |
25℃ 40℃ |
阴性和阳性 |
半导体和集成电路GaAs 和 GaP 装置 |
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Al2O3 |
TRANSETCH - N |
120?/秒，180℃ |
SiO2 |
半导体装置 |
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Co2Si |
硅化钴 |
10?/秒，25℃ |
阴性和阳性 |
微电子元件 |
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Cr |
铬蚀刻剂-473 |
25℃ 4℃
14?/秒 25?/秒 |
阴性和阳性 |
薄膜线路 |
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Cr-CrO |
铬蚀刻剂-TFD |
不固定 不固定 |
阴性，阳性 |
薄膜线路 |
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Cr-Si |
铬陶瓷 |
1000?/分，50℃ |
阴性 |
薄膜线路 |
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Cu |
铜蚀刻剂 100 |
1 密尔/分，50℃ |
屏幕光刻胶 |
P.C. 板 |
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GaAs |
砷化镓 |
20-100?/秒 |
阴性 |
微电子件 |
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GaN |
氮化镓 |
80?/分，180℃ |
阴性和阳性 |
半导体和 IC |
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Ga2O3 |
氧化镓 |
10秒@25℃ |
阴性 |
钯触点 |
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GaP |
磷化镓 |
A面(Ga):115μ/小时，80℃ |
阴性 |
光发射二级管 |
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Ge |
锗 |
250?/秒，20℃ |
阴性和阳性 |
半导体装置 |
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Au |
金蚀刻剂 TFA |
28?/秒，25℃ |
阴性和阳性 |
薄膜线路 |
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In2O3 |
氧化铟 |
3分，25℃ |
阴性 |
钯触点 |
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InP |
磷化铟 |
30分，25℃ |
阴性 |
钯触点 |
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Fe2O3 |
氧化铁 ME-10 |
50?/秒，25℃ |
阴性和阳性 |
微电子件 |
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Mo |
钼蚀刻剂 TFM |
55 ?/秒，30℃ |
阴性 |
钯触点 |
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Nb |
铌 |
50?/秒，25℃ |
阴性和阳性 |
微电子件 |
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Ni-Cr |
镍铬蚀刻剂 - TFC |
20?/秒，25℃ |
阴性和阳性 |
薄膜线路 |
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Ni |
镍蚀刻剂 - TFB |
30?/秒，30℃ |
阴性和阳性 |
薄膜线路 |
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Pd |
钯蚀刻剂 - TFP |
110?/秒，50℃ |
阴性和阳性 |
薄膜线路 |
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Pt |
铂蚀刻剂 1:1 |
10?/秒，25℃ |
阳性 |
薄膜线路 |
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Si |
硅慢速蚀刻剂 |
不固定 |
KMER |
半导体装置 |
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SiO2 |
HF 缓冲剂（热生长） 硅氧蚀刻剂（沉积） |
800?/分，25℃ |
阴性和阳性 |
半导体和IC |
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SiO |
一氧化硅蚀刻剂 |
5000?/分，85℃ |
阴性和阳性 |
半导体装置 |
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Si3N4 |
TRANSETCH - N |
125?/分，180℃ |
SiO2 (Silox) |
半导体与集成线路 |
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Ag |
银蚀刻剂 - TFS |
200?/秒，25℃ |
阴性和阳性 |
半导体和IC |
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Ta |
钽蚀刻剂-8607 |
70?/秒，25℃ |
阴性和阳性 |
电容器，IC |
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Ti |
钛蚀刻剂 - TFT |
25?/秒，20℃ |
阴性和阳性 |
集成线路 |
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Ti-W |
钛钨蚀刻剂 TiW-30 |
20?/秒 |
阴性和阳性 |
粘结层 |
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W |
钨蚀刻剂 TFW |
140?/秒，30℃ |
阴性和阳性 |
集成线路 |
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SnO,ITO |
TE-100 |
30分，25℃ |
屏幕光刻胶 |
电子线路 |
注：阴性光刻胶材料包括KPR、KTFR、PKP = 2 \* ROMAN II型和WAYCOAT；
阳性光刻胶材料包括AZ－111、AZ 1350和Micro Positive 809（微阴性809）。
